IMSQ120R026M2HHXUMA1
SIC DISCRETE
IMSQ120R026M2HHXUMA1 规格
零件状态：
Active
安装类型：
Surface Mount
场效应晶体管特性：
-
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级：
-
认证：
-
连续漏极电流 (Id) @ 25°C：
83A (Tc)
配置：
2 N-Channel (Half Bridge)
技术：
Silicon Carbide (SiC)
漏极至源极电压 (Vdss)：
1200V (1.2kV)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流：
5.1V @ 8.6mA
最大功率：
410W (Tc)
