IMT65R50M2HXUMA1
MOSFET 2N-CH 650V 48.1A PG-HSOF
IMT65R50M2HXUMA1 规格
零件状态：
Active
安装类型：
Surface Mount
场效应晶体管特性：
-
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级：
-
认证：
-
配置：
2 N-Channel (Dual)
技术：
SiCFET (Silicon Carbide)
封装 / 外壳：
8-PowerSFN
漏极至源极电压 (Vdss)：
650V
供应商器件封装：
PG-HSOF-8-2
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流：
5.6V @ 3.7mA
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压：
62mOhm @ 18.2A, 18V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C：
48.1A (Tc)
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs：
22nC @ 18V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds：
790pF @ 400V
最大功率：
237W (Tc)
