IPG20N04S4L18AATMA1
MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
IPG20N04S4L18AATMA1 规格
零件状态：
Active
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管特性：
-
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级：
Automotive
认证：
AEC-Q101
配置：
2 N-Channel (Dual)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C：
20A (Tc)
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs：
15nC @ 10V
漏极至源极电压 (Vdss)：
40V
封装 / 外壳：
8-PowerVDFN
安装类型：
Surface Mount, Wettable Flank
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流：
2.2V @ 8µA
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压：
18mOhm @ 17A, 10V
供应商器件封装：
PG-TDSON-8-10
最大功率：
26W (Tc)
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds：
1071pF @ 25V
