IQE008N03LM5CGSCATMA1
MOSFET 2N-CH 30V 9WHTFN
IQE008N03LM5CGSCATMA1 规格
零件状态：
Active
安装类型：
Surface Mount
工作温度：
-
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管特性：
-
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流：
-
最大功率：
-
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs：
-
漏极至源极电压 (Vdss)：
30V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C：
-
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds：
-
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压：
-
配置：
2 N-Channel (Half Bridge)
封装 / 外壳：
9-PowerWDFN
供应商器件封装：
PG-WHTFN-9
