IRF7341TRPBFXTMA1
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8DSO-902
IRF7341TRPBFXTMA1 规格
零件状态：
Active
安装类型：
Surface Mount
封装 / 外壳：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流：
1V @ 250µA
配置：
2 N-Channel (Dual)
场效应晶体管特性：
Logic Level Gate
漏极至源极电压 (Vdss)：
55V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C：
4.7A (Tc)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压：
50mOhm @ 4.7A, 10V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs：
36nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds：
740pF @ 25V
最大功率：
2W (Tc)
供应商器件封装：
PG-DSO-8-902
