ISG0616N10NM5HSCATMA1
MOSFET 2N-CH 100V 19A 10WHITFN
ISG0616N10NM5HSCATMA1 规格
零件状态：
Active
安装类型：
Surface Mount
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管特性：
-
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级：
-
认证：
-
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs：
78nC @ 10V
漏极至源极电压 (Vdss)：
100V
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压：
4mOhm @ 50A, 10V
配置：
2 N-Channel (Half Bridge)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流：
3.8V @ 85µA
最大功率：
3W (Ta), 167W (Tc)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C：
19A (Ta), 139A (Tc)
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds：
4800pF @ 50V
封装 / 外壳：
10-PowerWDFN
供应商器件封装：
PG-WHITFN-10-1
