BSC150N03LD
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
BSC150N03LD Specifications
حالة القطعة：
Active
نوع التثبيت：
Surface Mount
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
تكوين：
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET：
Logic Level Gate
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)：
30V
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية：
8A
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id：
2.2V @ 250µA
الحزمة / العلبة：
8-PowerVDFN
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs：
15mOhm @ 20A, 10V
المورد الجهاز الحزمة：
PG-TDSON-8-4
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds：
1100pF @ 15V
الطاقة - الحد الأقصى：
26W
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
6.4nC @ 10V
