F411MR12W3M1HB11BPSA1
F411MR12W3M1HB11BPSA1
F411MR12W3M1HB11BPSA1 Specifications
حالة القطعة：
Active
نوع التثبيت：
Chassis Mount
المورد الجهاز الحزمة：
-
ميزة FET：
-
الصف：
-
التأهيل：
-
الحزمة / العلبة：
Module
الطاقة - الحد الأقصى：
-
درجة حرارة التشغيل：
-40°C ~ 175°C (TJ)
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية：
75A (Tj)
تكنولوجيا：
Silicon Carbide (SiC)
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)：
1200V (1.2kV)
تكوين：
4 N-Channel
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds：
6600pF @ 800V
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs：
16mOhm @ 75A, 18V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id：
5.15V @ 30mA
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
223nC @ 18V
