DF419MR20W3M1HFB11BPSA1
MOSFET 4N-CH 2000V 50A AG-EASY3B
DF419MR20W3M1HFB11BPSA1 Specifications
حالة القطعة：
Active
نوع التثبيت：
Chassis Mount
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
ميزة FET：
-
الحزمة / العلبة：
Module
الطاقة - الحد الأقصى：
-
درجة حرارة التشغيل：
-40°C ~ 175°C (TJ)
تكوين：
4 N-Channel
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية：
50A (Tj)
المورد الجهاز الحزمة：
AG-EASY3B
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)：
2000V (2kV)
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs：
26.5mOhm @ 60A, 18V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id：
5.15V @ 34mA
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
234nC @ 18V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds：
7240pF @ 1.2kV
