DF8MR12W1M1HFB67BPSA1
MOSFET 2N-CH 1200V 45A AG-EASY1B
DF8MR12W1M1HFB67BPSA1 Specifications
حالة القطعة：
Active
نوع التثبيت：
Chassis Mount
ميزة FET：
-
الحزمة / العلبة：
Module
الطاقة - الحد الأقصى：
-
تكوين：
2 N-Channel (Dual)
درجة حرارة التشغيل：
-40°C ~ 175°C (TJ)
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية：
45A
تكنولوجيا：
Silicon Carbide (SiC)
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)：
1200V (1.2kV)
المورد الجهاز الحزمة：
AG-EASY1B
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs：
16.2mOhm @ 50A, 18V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id：
5.15V @ 20mA
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
149nC @ 18V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds：
4400pF @ 800V
