F411MR12W2M1HPB76BPSA1
MOSFET
F411MR12W2M1HPB76BPSA1 Specifications
حالة القطعة：
Active
نوع التثبيت：
Chassis Mount
المورد الجهاز الحزمة：
-
الصف：
-
التأهيل：
-
الحزمة / العلبة：
Module
الطاقة - الحد الأقصى：
-
درجة حرارة التشغيل：
-40°C ~ 175°C (TJ)
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية：
60A
تكنولوجيا：
Silicon Carbide (SiC)
تكوين：
4 N-Channel
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds：
6600pF @ 800V
ميزة FET：
Silicon Carbide (SiC)
