F445MR12W1M1B76BPSA1
MOSFET 4N-CH 1200V 25A AG-EASY1B
F445MR12W1M1B76BPSA1 Specifications
حالة القطعة：
Obsolete
نوع التثبيت：
Chassis Mount
ميزة FET：
-
الحزمة / العلبة：
Module
درجة حرارة التشغيل：
-40°C ~ 150°C (TJ)
الطاقة - الحد الأقصى：
-
تكوين：
4 N-Channel (Full Bridge)
تكنولوجيا：
Silicon Carbide (SiC)
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)：
1200V (1.2kV)
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية：
25A (Tj)
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs：
45mOhm @ 25A, 15V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id：
5.55V @ 10mA
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
62nC @ 15V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds：
1840pF @ 800V
المورد الجهاز الحزمة：
AG-EASY1B-2
