F48MR12W2M1HB70BPSA1
LOW POWER EASY
F48MR12W2M1HB70BPSA1 Specifications
حالة القطعة：
Active
نوع التثبيت：
Chassis Mount
المورد الجهاز الحزمة：
-
الصف：
-
التأهيل：
-
الحزمة / العلبة：
Module
درجة حرارة التشغيل：
-40°C ~ 175°C (TJ)
تكوين：
4 N-Channel (Full Bridge)
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية：
100A
تكنولوجيا：
Silicon Carbide (SiC)
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs：
12mOhm @ 100A, 18V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id：
5.15V @ 40mA
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
297nC @ 18V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds：
8800pF @ 800V
ميزة FET：
Silicon Carbide (SiC)
الطاقة - الحد الأقصى：
20mW
