FF3MR20KM1HPHPSA1
MOSFET 2N-CH 2000V AG-62MMHB
FF3MR20KM1HPHPSA1 Specifications
حالة القطعة：
Active
نوع التثبيت：
Chassis Mount
ميزة FET：
-
الصف：
-
التأهيل：
-
الحزمة / العلبة：
Module
الطاقة - الحد الأقصى：
-
درجة حرارة التشغيل：
-40°C ~ 175°C (TJ)
تكوين：
2 N-Channel (Half Bridge)
تكنولوجيا：
Silicon Carbide (SiC)
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية：
325A (Tc)
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id：
5.15V @ 224mA
المورد الجهاز الحزمة：
AG-62MMHB
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)：
2000V (2kV)
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs：
4mOhm @ 400A, 18V
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
1560nC @ 18V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds：
48200pF @ 1200V
