FF4MR12W2M1HB70BPSA1
LOW POWER EASY
FF4MR12W2M1HB70BPSA1 Specifications
حالة القطعة：
Active
نوع التثبيت：
Chassis Mount
المورد الجهاز الحزمة：
-
الصف：
-
التأهيل：
-
الحزمة / العلبة：
Module
درجة حرارة التشغيل：
-40°C ~ 150°C (TJ)
الطاقة - الحد الأقصى：
-
تكوين：
2 N-Channel (Half Bridge)
تكنولوجيا：
Silicon Carbide (SiC)
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية：
200A
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id：
5.15V @ 80mA
ميزة FET：
Silicon Carbide (SiC)
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs：
4mOhm @ 200A, 18V
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
594nC @ 18V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds：
17600pF @ 800V
