FF6MR12W2M1HPB11BPSA1
MOSFET 2N-CH 1200V 200A MODULE
FF6MR12W2M1HPB11BPSA1 Specifications
حالة القطعة：
Active
نوع التثبيت：
Chassis Mount
ميزة FET：
-
الحزمة / العلبة：
Module
درجة حرارة التشغيل：
-40°C ~ 150°C (TJ)
الطاقة - الحد الأقصى：
-
تكوين：
2 N-Channel (Dual)
المورد الجهاز الحزمة：
Module
تكنولوجيا：
Silicon Carbide (SiC)
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)：
1200V (1.2kV)
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية：
200A (Tj)
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs：
5.63mOhm @ 200A, 15V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id：
5.55V @ 80mA
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
496nC @ 15V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds：
14700pF @ 800V
