FS02MR12A8MA2BBPSA1
MOSFET 6N-CH 1200V 390A
FS02MR12A8MA2BBPSA1 Specifications
حالة القطعة：
Active
نوع التثبيت：
Chassis Mount
المورد الجهاز الحزمة：
-
ميزة FET：
-
الصف：
-
التأهيل：
-
الحزمة / العلبة：
Module
الطاقة - الحد الأقصى：
-
درجة حرارة التشغيل：
-40°C ~ 175°C (TJ)
تكنولوجيا：
Silicon Carbide (SiC)
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)：
1200V (1.2kV)
تكوين：
6 N-Channel
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية：
390A (Tj)
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs：
1.9mOhm @ 390A, 18V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id：
4.55V @ 160mA
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
1.19µC @ 18V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds：
34500pF @ 750V
