FS03MR12A6MA1LB
MOSFET 6N-CH 1200V AG-HYBRIDD
FS03MR12A6MA1LB Specifications
حالة القطعة：
Active
نوع التثبيت：
Chassis Mount
ميزة FET：
-
الحزمة / العلبة：
Module
درجة حرارة التشغيل：
-40°C ~ 150°C (TJ)
الطاقة - الحد الأقصى：
-
تكوين：
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
تكنولوجيا：
Silicon Carbide (SiC)
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)：
1200V (1.2kV)
المورد الجهاز الحزمة：
AG-HYBRIDD-2
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية：
400A
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs：
3.7mOhm @ 400A, 15V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id：
5.55V @ 240mA
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
1320nC @ 15V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds：
42600pF @ 600V
