IAUCN10S5L094DATMA1
MOSFET 2N-CH 100V 66A 8TDSON
IAUCN10S5L094DATMA1 Specifications
حالة القطعة：
Active
نوع التثبيت：
Surface Mount
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
ميزة FET：
-
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 175°C (TJ)
الصف：
Automotive
التأهيل：
AEC-Q101
تكوين：
2 N-Channel (Dual)
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
30nC @ 10V
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)：
100V
الحزمة / العلبة：
8-PowerTDFN
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id：
2.2V @ 35µA
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs：
9.4mOhm @ 30A, 10V
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية：
66A (Tj)
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds：
2180pF @ 50V
الطاقة - الحد الأقصى：
96W (Tc)
المورد الجهاز الحزمة：
PG-TDSON-8-60
