IRF7303TRPBFXTMA1
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8DSO-902
IRF7303TRPBFXTMA1 Specifications
حالة القطعة：
Active
نوع التثبيت：
Surface Mount
الحزمة / العلبة：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
ميزة FET：
-
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id：
1V @ 250µA
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
25nC @ 10V
تكوين：
2 N-Channel (Dual)
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)：
30V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds：
520pF @ 25V
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية：
4.9A (Ta)
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs：
50mOhm @ 2.4A, 10V
الطاقة - الحد الأقصى：
2W (Ta)
المورد الجهاز الحزمة：
PG-DSO-8-902
