IRF7313TRPBFXTMA1
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8DSO-902
IRF7313TRPBFXTMA1 Specifications
حالة القطعة：
Active
نوع التثبيت：
Surface Mount
الحزمة / العلبة：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
ميزة FET：
-
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id：
1V @ 250µA
تكوين：
2 N-Channel (Dual)
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)：
30V
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية：
6.5A (Ta)
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs：
29mOhm @ 5.8A, 10V
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
33nC @ 10V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds：
650pF @ 25V
الطاقة - الحد الأقصى：
2W (Ta)
المورد الجهاز الحزمة：
PG-DSO-8-902
