IRF8910TRPBFXTMA1
MOSFET 2N-CH 20V 10A 8DSO-902
IRF8910TRPBFXTMA1 Specifications
حالة القطعة：
Obsolete
نوع التثبيت：
Surface Mount
الحزمة / العلبة：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
ميزة FET：
-
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)：
20V
تكوين：
2 N-Channel (Dual)
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية：
10A (Ta)
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id：
2.55V @ 250µA
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs：
13.4mOhm @ 10A, 10V
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
11nC @ 4.5V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds：
960pF @ 10V
الطاقة - الحد الأقصى：
2W (Ta)
المورد الجهاز الحزمة：
PG-DSO-8-902
