AIMDQ75R025M2HXTMA1
AIMDQ75R025M2HXTMA1
AIMDQ75R025M2HXTMA1 Specifications
Part Status：
Active
Mounting Type：
Surface Mount
FET Type：
N-Channel
FET Feature：
-
Operating Temperature：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade：
Automotive
Qualification：
AEC-Q101
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
70A (Tc)
Power Dissipation (Max)：
272W (Tc)
Technology：
SiCFET (Silicon Carbide)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：
15V, 20V
Vgs (Max)：
+23V, -7V
Package / Case：
22-PowerBSOP Module
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
49 nC @ 18 V
Supplier Device Package：
PG-HDSOP-22
Drain to Source Voltage (Vdss)：
840 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
22mOhm @ 36.7A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id：
5.6V @ 8.1mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1729 pF @ 500 V
