ISCH69N04NM7VATMA1
ISCH69N04NM7VATMA1
ISCH69N04NM7VATMA1 Specifications
Part Status：
Active
Mounting Type：
Surface Mount
FET Type：
N-Channel
Technology：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)：
±20V
FET Feature：
-
Operating Temperature：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade：
-
Qualification：
-
Drain to Source Voltage (Vdss)：
40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：
10V, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
106 nC @ 10 V
Package / Case：
8-PowerTDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
5600 pF @ 20 V
Power Dissipation (Max)：
3W (Ta), 167W (Tc)
Supplier Device Package：
PG-TDSON-8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
48A (Ta), 357A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
0.65mOhm @ 50A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id：
3.15V @ 82µA
