BSP170IATMA1
BSP170IATMA1
BSP170IATMA1 Specifications
Part Status：
Active
Mounting Type：
Surface Mount
Technology：
MOSFET (Metal Oxide)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：
10V
Vgs (Max)：
±20V
FET Feature：
-
Grade：
-
Qualification：
-
Operating Temperature：
-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type：
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)：
60 V
Package / Case：
TO-261-3
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 270µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
550 pF @ 30 V
Power Dissipation (Max)：
1.8W (Ta), 5W (Tc)
Supplier Device Package：
PG-SOT223-4-U01
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
1.88A (Ta), 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
260mOhm @ 1.9A, 10V
