BSP171IATMA1
BSP171IATMA1
BSP171IATMA1 Specifications
Part Status：
Active
Mounting Type：
Surface Mount
Technology：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)：
±20V
FET Feature：
-
Grade：
-
Qualification：
-
Operating Temperature：
-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type：
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)：
60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：
4.5V, 10V
Package / Case：
TO-261-3
Vgs(th) (Max) @ Id：
2V @ 270µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
550 pF @ 30 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
250mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max)：
1.8W (Ta), 5W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
1.9A (Ta), 3.2A (Tc)
Supplier Device Package：
PG-SOT223-4-U01
