BSS131IXUSA1
BSS131IXUSA1
BSS131IXUSA1 Specifications
Part Status：
Active
Mounting Type：
Surface Mount
FET Type：
N-Channel
Technology：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)：
±20V
FET Feature：
-
Grade：
-
Qualification：
-
Operating Temperature：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：
4.5V, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)：
240 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.8V @ 56µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
109mA (Ta), 121mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
14Ohm @ 120mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
2.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
74 pF @ 120 V
Power Dissipation (Max)：
400mW (Ta), 440mW (Tc)
Supplier Device Package：
PG-SOT23-3-U03
