BSS84IXUSA1
BSS84IXUSA1
BSS84IXUSA1 Specifications
Part Status：
Active
Mounting Type：
Surface Mount
Technology：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)：
±20V
FET Feature：
-
Grade：
-
Qualification：
-
Operating Temperature：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
FET Type：
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)：
60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：
4.5V, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
23 pF @ 30 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2V @ 11µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
5.5Ohm @ 180mA, 10V
Supplier Device Package：
PG-SOT23-3-U03
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
180mA (Ta), 290mA (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
780 pC @ 10 V
Power Dissipation (Max)：
400mW (Ta), 960mW (Tc)
