IMCQ120R040M2HXTMA1
SIC DISCRETE
IMCQ120R040M2HXTMA1 Specifications
Part Status：
Active
Mounting Type：
Surface Mount
FET Type：
N-Channel
Technology：
MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature：
-
Operating Temperature：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade：
-
Qualification：
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
56A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)：
1200 V
Power Dissipation (Max)：
288W (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：
15V, 18V
Vgs (Max)：
+23V, -5V
Package / Case：
22-PowerBSOP Module
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
39.6mOhm @ 17.5A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id：
5.1V @ 5.5mA
Supplier Device Package：
PG-HDSOP-22-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
42.4 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1660 pF @ 800 V
