IMDQ75R004M2HXTMA1
IMDQ75R004M2HXTMA1
IMDQ75R004M2HXTMA1 Specifications
Part Status：
Active
Mounting Type：
Surface Mount
FET Type：
N-Channel
FET Feature：
-
Operating Temperature：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade：
-
Qualification：
-
Technology：
SiCFET (Silicon Carbide)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：
15V, 20V
Vgs (Max)：
+23V, -7V
Package / Case：
22-PowerBSOP Module
Supplier Device Package：
PG-HDSOP-22
Drain to Source Voltage (Vdss)：
840 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
357A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
3.2mOhm @ 170A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id：
5.6V @ 57.7mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
342 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
11844 pF @ 500 V
Power Dissipation (Max)：
1499W (Tc)
