IMDQ75R016M2HXTMA1
IMDQ75R016M2HXTMA1
IMDQ75R016M2HXTMA1 Specifications
Part Status：
Active
Mounting Type：
Surface Mount
FET Type：
N-Channel
FET Feature：
-
Operating Temperature：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade：
-
Qualification：
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
103A (Tc)
Technology：
SiCFET (Silicon Carbide)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：
15V, 20V
Vgs (Max)：
+23V, -7V
Package / Case：
22-PowerBSOP Module
Power Dissipation (Max)：
394W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
74 nC @ 18 V
Supplier Device Package：
PG-HDSOP-22
Drain to Source Voltage (Vdss)：
840 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
14mOhm @ 55.8A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id：
5.6V @ 12.3mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2577 pF @ 500 V
