IMZA120R012M2HXKSA1
IMZA120R012M2HXKSA1
IMZA120R012M2HXKSA1 Specifications
Mounting Type：
Through Hole
Part Status：
Active
FET Type：
N-Channel
FET Feature：
-
Operating Temperature：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade：
-
Qualification：
-
Power Dissipation (Max)：
480W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)：
1200 V
Package / Case：
TO-247-4
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
129A (Tc)
Technology：
SiCFET (Silicon Carbide)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：
15V, 18V
Vgs (Max)：
+23V, -7V
Supplier Device Package：
PG-TO247-4-8
Vgs(th) (Max) @ Id：
5.1V @ 17.8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
124 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
4050 pF @ 800 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
16mOhm @ 57A, 18V
