IMZA120R078M2HXKSA1
IMZA120R078M2HXKSA1
IMZA120R078M2HXKSA1 Specifications
Mounting Type：
Through Hole
Part Status：
Active
FET Type：
N-Channel
FET Feature：
-
Operating Temperature：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade：
-
Qualification：
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
28A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)：
1200 V
Package / Case：
TO-247-4
Power Dissipation (Max)：
143W (Tc)
Technology：
SiCFET (Silicon Carbide)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：
15V, 18V
Vgs (Max)：
+23V, -7V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
21 nC @ 18 V
Supplier Device Package：
PG-TO247-4-8
Vgs(th) (Max) @ Id：
5.1V @ 2.8mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
700 pF @ 800 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
103mOhm @ 9A, 18V
