IPB095N20NM6ATMA1
IPB095N20NM6ATMA1
IPB095N20NM6ATMA1 Specifications
Part Status：
Active
Mounting Type：
Surface Mount
FET Type：
N-Channel
Technology：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)：
±20V
FET Feature：
-
Operating Temperature：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade：
-
Qualification：
-
Drain to Source Voltage (Vdss)：
200 V
Package / Case：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
66 nC @ 10 V
Power Dissipation (Max)：
3.8W (Ta), 300W (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：
10V, 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
5500 pF @ 100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
13A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
8.7mOhm @ 62A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id：
4.5V @ 186µA
Supplier Device Package：
PG-TO263-3-U01
