IPF048N15NM6ATMA1
TRENCH >=100V
IPF048N15NM6ATMA1 Specifications
Part Status：
Active
Mounting Type：
Surface Mount
FET Type：
N-Channel
Technology：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)：
±20V
FET Feature：
-
Operating Temperature：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade：
-
Qualification：
-
Drain to Source Voltage (Vdss)：
150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
64 nC @ 10 V
Package / Case：
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Supplier Device Package：
PG-TO263-7-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
4700 pF @ 75 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 131µA
Power Dissipation (Max)：
3.8W (Ta), 234W (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：
8V, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
18.4A (Ta), 146A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
4.6mOhm @ 58A, 15V
