IPT60R160CM8XTMA1
IPT60R160CM8XTMA1
IPT60R160CM8XTMA1 Specifications
Part Status：
Active
Mounting Type：
Surface Mount
FET Type：
N-Channel
Technology：
MOSFET (Metal Oxide)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：
10V
Vgs (Max)：
±20V
FET Feature：
-
Grade：
-
Qualification：
-
Operating Temperature：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
18 nC @ 10 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
19A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)：
600 V
Package / Case：
8-PowerSFN
Power Dissipation (Max)：
124W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
160mOhm @ 6.3A, 10V
Supplier Device Package：
PG-HSOF-8
Vgs(th) (Max) @ Id：
4.7V @ 150µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
785 pF @ 400 V
