IPTC068N20NM6ATMA1
IPTC068N20NM6ATMA1
IPTC068N20NM6ATMA1 Specifications
Part Status：
Active
Mounting Type：
Surface Mount
FET Type：
N-Channel
Technology：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)：
±20V
FET Feature：
-
Operating Temperature：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade：
-
Qualification：
-
Drain to Source Voltage (Vdss)：
200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
107 nC @ 10 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：
10V, 15V
Package / Case：
16-PowerSOP Module
Power Dissipation (Max)：
3.8W (Ta), 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id：
4.5V @ 251µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
7300 pF @ 100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
15.2A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
6.25mOhm @ 126A, 15V
Supplier Device Package：
PG-HDSOP-16-U04
