IPW65R060CM8XKSA1
IPW65R060CM8XKSA1
IPW65R060CM8XKSA1 Specifications
Mounting Type：
Through Hole
Part Status：
Active
FET Type：
N-Channel
Technology：
MOSFET (Metal Oxide)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：
10V
Vgs (Max)：
±20V
FET Feature：
-
Grade：
-
Qualification：
-
Operating Temperature：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case：
TO-247-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)：
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
45A (Tc)
Power Dissipation (Max)：
227W (Tc)
Supplier Device Package：
PG-TO247-3-U06
Vgs(th) (Max) @ Id：
4.7V @ 440µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
60mOhm @ 16.7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2462 pF @ 400 V
