IPZA60R070CM8XKSA1
IPZA60R070CM8XKSA1
IPZA60R070CM8XKSA1 Specifications
Mounting Type：
Through Hole
Part Status：
Active
FET Type：
N-Channel
Technology：
MOSFET (Metal Oxide)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：
10V
Vgs (Max)：
±20V
FET Feature：
-
Grade：
-
Qualification：
-
Operating Temperature：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Drain to Source Voltage (Vdss)：
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
37A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
43 nC @ 10 V
Package / Case：
TO-247-4
Power Dissipation (Max)：
201W (Tc)
Supplier Device Package：
PG-TO247-4-U02
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
70mOhm @ 14.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id：
4.7V @ 360µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1878 pF @ 400 V
