IPZA65R018CM8XKSA1
IPZA65R018CM8XKSA1
IPZA65R018CM8XKSA1 Specifications
Mounting Type：
Through Hole
Part Status：
Active
FET Type：
N-Channel
Technology：
MOSFET (Metal Oxide)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：
10V
Vgs (Max)：
±20V
FET Feature：
-
Grade：
-
Qualification：
-
Operating Temperature：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max)：
521W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
116A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)：
650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
173 nC @ 10 V
Package / Case：
TO-247-4
Supplier Device Package：
PG-TO247-4-U02
Vgs(th) (Max) @ Id：
4.7V @ 1.48mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
18mOhm @ 55.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
8290 pF @ 400 V
