BSP170IATMA1
BSP170IATMA1
BSP170IATMA1 Specifications
部品ステータス：
Active
実装タイプ：
Surface Mount
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：
10V
Vgs（最大）：
±20V
FETフィーチャー：
-
グレード：
-
認定：
-
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
FETタイプ：
P-Channel
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)：
60 V
パッケージ / ケース：
TO-261-3
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 270µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs：
13.5 nC @ 10 V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds：
550 pF @ 30 V
最大消費電力：
1.8W (Ta), 5W (Tc)
サプライヤーデバイスパッケージ：
PG-SOT223-4-U01
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
1.88A (Ta), 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
260mOhm @ 1.9A, 10V
