IMZA120R026M2HXKSA1
IMZA120R026M2HXKSA1
IMZA120R026M2HXKSA1 Specifications
実装タイプ：
Through Hole
部品ステータス：
Active
FETタイプ：
N-Channel
FETフィーチャー：
-
動作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
グレード：
-
認定：
-
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)：
1200 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
69A (Tc)
パッケージ / ケース：
TO-247-4
テクノロジー：
SiCFET (Silicon Carbide)
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs：
60 nC @ 18 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：
15V, 18V
Vgs（最大）：
+23V, -7V
サプライヤーデバイスパッケージ：
PG-TO247-4-8
Vgs(th) (Max) @ Id：
5.1V @ 8.6mA
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds：
1990 pF @ 800 V
最大消費電力：
289W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
34mOhm @ 27A, 18V
