BSS83IXUSA1
BSS83IXUSA1
BSS83IXUSA1 Specifications
部品ステータス：
Active
実装タイプ：
Surface Mount
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±20V
FETフィーチャー：
-
グレード：
-
認定：
-
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ / ケース：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
FETタイプ：
P-Channel
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)：
60 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
1.7Ohm @ 300mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2V @ 34µA
サプライヤーデバイスパッケージ：
PG-SOT23-3-U03
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
320mA (Ta), 550mA (Tc)
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs：
1.09 nC @ 4.5 V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds：
72 pF @ 30 V
最大消費電力：
400mW (Ta), 1.04W (Tc)
