IDWD60G120C5XKSA1
SIC DISCRETE
IDWD60G120C5XKSA1 Specifications
実装タイプ：
Through Hole
部品ステータス：
Active
グレード：
-
認定：
-
動作温度 - 接合部：
-55°C ~ 175°C
電圧 - DCリバース（Vr）（最大）：
1200 V
パッケージ / ケース：
TO-247-2
電圧 - 順方向 (Vf) (最大) @ If：
1.8 V @ 60 A
テクノロジー：
SiC (Silicon Carbide) Schottky
速度：
No Recovery Time > 500mA (Io)
逆回復時間（trr）：
0 ns
サプライヤーデバイスパッケージ：
PG-TO247-2-U01
電流 - 平均整流 (Io)：
153A
電流 - 逆方向リーク電流 @ Vr：
480 µA @ 1.2 kV
容量 @ Vr, F：
3580pF @ 1V, 100kHz
