IMDQ75R016M2HXTMA1
IMDQ75R016M2HXTMA1
IMDQ75R016M2HXTMA1 Specifications
部品ステータス：
Active
実装タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
FETフィーチャー：
-
動作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
グレード：
-
認定：
-
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
103A (Tc)
テクノロジー：
SiCFET (Silicon Carbide)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：
15V, 20V
Vgs（最大）：
+23V, -7V
パッケージ / ケース：
22-PowerBSOP Module
最大消費電力：
394W (Tc)
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs：
74 nC @ 18 V
サプライヤーデバイスパッケージ：
PG-HDSOP-22
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)：
840 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
14mOhm @ 55.8A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id：
5.6V @ 12.3mA
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds：
2577 pF @ 500 V
