IPB095N20NM6ATMA1
IPB095N20NM6ATMA1
IPB095N20NM6ATMA1 Specifications
部品ステータス：
Active
実装タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±20V
FETフィーチャー：
-
動作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
グレード：
-
認定：
-
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)：
200 V
パッケージ / ケース：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs：
66 nC @ 10 V
最大消費電力：
3.8W (Ta), 300W (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：
10V, 15V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds：
5500 pF @ 100 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
13A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
8.7mOhm @ 62A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id：
4.5V @ 186µA
サプライヤーデバイスパッケージ：
PG-TO263-3-U01
