IPF048N15NM6ATMA1
TRENCH >=100V
IPF048N15NM6ATMA1 Specifications
部品ステータス：
Active
実装タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±20V
FETフィーチャー：
-
動作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
グレード：
-
認定：
-
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)：
150 V
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs：
64 nC @ 10 V
パッケージ / ケース：
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
サプライヤーデバイスパッケージ：
PG-TO263-7-3
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds：
4700 pF @ 75 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 131µA
最大消費電力：
3.8W (Ta), 234W (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：
8V, 15V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
18.4A (Ta), 146A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
4.6mOhm @ 58A, 15V
