IPM018N10NM5LF2AUMA1
IPM018N10NM5LF2AUMA1
IPM018N10NM5LF2AUMA1 Specifications
部品ステータス：
Active
実装タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)：
100 V
Vgs（最大）：
±20V
FETフィーチャー：
-
動作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
グレード：
-
認定：
-
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：
10V, 15V
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs：
178 nC @ 10 V
サプライヤーデバイスパッケージ：
PG-HSOG-4-1
パッケージ / ケース：
4-PowerSFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
1.7mOhm @ 100A, 15V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
30A (Ta), 285A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id：
3.45V @ 240µA
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds：
14000 pF @ 50 V
最大消費電力：
3.8W (Ta), 349W (Tc)
