IPT60R120CM8XTMA1
IPT60R120CM8XTMA1
IPT60R120CM8XTMA1 Specifications
部品ステータス：
Active
実装タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：
10V
Vgs（最大）：
±20V
FETフィーチャー：
-
グレード：
-
認定：
-
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs：
24 nC @ 10 V
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)：
600 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
24A (Tc)
パッケージ / ケース：
8-PowerSFN
最大消費電力：
154W (Tc)
サプライヤーデバイスパッケージ：
PG-HSOF-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
120mOhm @ 8.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id：
4.7V @ 200µA
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds：
1045 pF @ 400 V
