IPZA65R018CM8XKSA1
IPZA65R018CM8XKSA1
IPZA65R018CM8XKSA1 Specifications
実装タイプ：
Through Hole
部品ステータス：
Active
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：
10V
Vgs（最大）：
±20V
FETフィーチャー：
-
グレード：
-
認定：
-
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
最大消費電力：
521W (Tc)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
116A (Tc)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)：
650 V
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs：
173 nC @ 10 V
パッケージ / ケース：
TO-247-4
サプライヤーデバイスパッケージ：
PG-TO247-4-U02
Vgs(th) (Max) @ Id：
4.7V @ 1.48mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
18mOhm @ 55.6A, 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds：
8290 pF @ 400 V
